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近日，第三代半导体产业技艺改进计谋定约接踵完成3项团体标准征求成见稿的编制，安谧面向定约成员单元征求成见，为期一个月。

》》UIS应力下GaN HEMT在线测试样式征求成见

2025年1月23日，由电子科技大学牵头草拟的标准T/CASAS 052—202X《非钳位理性负载开关应力下GaN HEMT在线测试样式》已完成征求成见稿的编制，安谧面向定约成员单元征求成见，为期一个月。征求成见稿已过程文书处邮件发送至定约成员单元；非定约成员单元如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。T/CASAS 052—202X《非钳位理性负载开关应力下GaN HEMT在线测试样式》表情了践诺非钳位理性负载应力下氮化镓高电子迁徙率晶体管在线测试样式，包括测试旨趣、测试要求、测试法式、数据处理和测验评释注解。

本文献适用于适用于封装级GaN HEMT器件的坐蓐研发、特质表征、量产测试、可靠性评估及驾驭评估等职责场景。

电子科技大学功率集成技艺实验室（Power Integrated Technology Lab, PITeL）隶属于电子科技大学集成电路科学与工程学院，为四川省功率半导体技艺工程盘问中心，是电子薄膜与集成器件寰宇重心实验室和电子科技大学集成电路盘问中心的紧迫构成部分。现存18名西宾/盘问员、9名副西宾/副盘问员，285名在读全日制硕士盘问生和69名博士盘问生，被国际同业誉为“民众功率半导体技艺界限最大的学术盘问团队”和 “功率半导体界限盘问最为全面的学术团队”。在团队负责东谈主见波西宾的携带下，该实验室两次牵头获得国度科学技艺高出奖二等奖和四川省科学技艺高出奖一等奖，共获省部级以上科研奖励15项。频年来，实验室共发表SCI收录论文500余篇，获授权发明专利1462项。同期，其产学研趋附收效显贵，部分产物冲破海外操纵、已毕批量坐蓐，为企业新增胜仗经济效益罕见百亿元，激动了我国功率半导体行业的发展。

》》2项AlN抛光片测试样式征求成见

2025年1月23日，由奥趋光电技艺（杭州）有限公司牵头草拟的标准T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测样式 腐蚀坑密度测量法》、由中国科学院半导体盘问所牵头草拟的标准T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片接纳扫数测试样式》已完成征求成见稿的编制，安谧面向定约成员单元征求成见，为期一个月。征求成见稿已过程文书处邮件发送至定约成员单元。非定约成员单元如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。

T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测样式 腐蚀坑密度测量法》表情了用择优化腐蚀技艺测试氮化铝抛光片中位错密度的样式，包括样式旨趣、仪器确立、测试要求、样品、测试法式、收尾规划和测试评释注解。本文献适用于抛光加工后位错密度小于10*7 个/cm²的氮化铝抛光片位错密度的测试，适用于1英寸、2英寸、3英寸、4英寸直径氮化铝抛光片的测试。氮化铝外延片可参照使用。

T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片接纳扫数测试样式》表情了氮化铝（AlN）抛光片光接纳扫数的测试样式，包括旨趣、仪器确立、测试要求、样品、测试法式、收尾规划和测试评释注解。本文献适用于氮化铝抛光片的光学质料为止和评估。氮化铝外延片可参照使用。

紧迫示知：2025年4月23-25日，2025九峰山论坛暨化合物半导体产业展览会将在武汉光谷科技会展中心再次启航，初次罕见2万平时米，拟邀展商数目罕见300家，范畴改进高！聚焦变革前沿，本届展会悉心打造功率器件展区，积存产业链高下流优质厂商，筹划展示行业最新技艺效果和科罚决策，激动功率器件在新动力汽车、智能电网、可再纯真力等界限的真切驾驭，探索行业破局之路。现真挚邀请民众化合物半导体技艺界限的内行学者、行业领航者及改进前锋降临嘉会，发表精彩演讲！当今招展火热进行中，好位置先到先得!~点击上图了解确定

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（转自：第三代半导体产业）

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